从7nm制程节点开始，三星在工艺研发和生产上就一直不顺利，过去两年里5nm和4nm工艺生产的芯片，无论效能还是良品率都存在较大问题。虽然三星在2021年高调地进行半导体扩张计划，确认3nm制程节点将引入全新的GAAFET全环绕栅极晶体管，并计划2022年上半年量产第一代3nm工艺，不过似乎遇到了更大的困难。
据DigiTimes报道，有报告详细介绍了三星在3nm制程节点和GAA技术上的进展，显示3nm工艺也是困难重重，良品率徘徊在10%到20%之间，远不及预期。目前三星在4nm工艺生产上已相当挣扎，虽然取得了Snapdragon 8 Gen 1的订单，但是良品率也仅在35%左右，这也解释了为什么即便要加价，高通也打算将Snapdragon 8 Gen 1 Plus的订单转移给台积电。如果三星在3nm工艺上的生产情况属实，将难以争取订单，很可能会失去高通和英伟达这些大客户。
有消息人士透露，三星会首先将3nm工艺用在自家芯片的生产上，很可能是Exynos系列新产品。此前三星移动业务总裁TM Roh在内部会议上表示，将开发针对Galaxy系列设备的定制SoC，不清楚是否与之有关。
台积电计划在N3制程节点仍使用FinFET晶体管，要到N2制程节点才会引入GAA技术，预计后者会在2025年末进入大批量生产。暂时没有台积电因转向GAA技术而遇到困难的消息，一般来说，台积电在芯片生产质量上要比三星好一些。
