从过去一段时间的报告来看，TSMC在3纳米和2纳米工艺的开发方面取得了良好的进展。TSMC总裁魏哲佳此前证实，N2制程节点将如期使用栅全能 FET晶体管，制造工艺仍依赖极紫外(EUV)光刻技术。预计2024年底准备风险生产，2025年底开始量产。
随着2nm技术发展的突破，TSMC已经开始考虑推进下一个工艺节点。据传，1.4nm技术可能会在6月份举行的技术研讨会上正式公布，届时可能会公布一些技术细节。据Business Korea报道，TSMC打算在6月份重新分配其N3工艺节点的团队，组建一个1.4nm制造工艺的R&D团队。
英特尔计划将两项突破性技术RibbonFET和PowerVia引入英特尔20A工艺节点。最近，我们还发誓要在2024年底之前推出RibbonFET的改进英特尔18A(1.8纳米级别)，这比TSMC的2纳米工艺领先一步，在性能功耗比方面占据领先地位。
很多业内人士对代工厂的制造工艺方案持怀疑态度，担心在R&D出现更多不可预知的障碍，导致量产延期或良率不理想。随着芯片的尺寸越来越小，技术的壁垒越来越高，电路的绘制必须更加精确，同时生产管理也变得越来越困难。
